IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPA80R650CEXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-FP |
Serie | CoolMOS™ CE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 33W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPA80R |
IPA80R650CEXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPA80R650CEXKSA1 PDF - EN.pdf |
IPA90R1K2C3 2SK3565 TOSHIBA
INFINEON TO-220F
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
IPA80R650CE INF
MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
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IPA90R1K2C3 Infineon Technologies
IPA90R1K2C INF
IPA90R1K0C3 2SK3565 TOSHIBA
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPA80R650CEXKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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